英飞凌FF1000R17IE4

英飞凌FF1000R17IE4
三菱IGBT 英飞凌IGBT模块 semikron fuji sanrex infineon ixys 

英飞凌FF1000R17IE4 产品图片
英飞凌FF1000R17IE4

产品作用和特性

  英飞凌FF1000R17IE4 是带有温度检测NTC的PrimePACK?3封装模块，IGBT4模块仍采用沟槽栅和场终止技术的**组合，即TrenchstopIGBT4芯片和其反并联续流二极管芯片，按低、中、高三个功率段的应用特点分别在开关损耗、通态损耗、开关软特性方面进一步优化。英飞凌FF1000R17IE4 主要运用在三电平应用、辅助逆变器、大功率变流器、电机传动、风力发电机等工业电子设备中。
  经过优化的高功率igbt4是英飞凌所提供的一款软化度很好的沟槽电场截止元件，一个较小的栅电阻就能控制标称值高达3600a的大电流。由于在工作时使用了有源栅控，使得在800v的直流链电压下，总的关断损耗(在整个工作范围内的总和)降低了5%，并且通过改进的二极管也减小了开启损耗(~20%)。考虑到工作温度有25℃的增加，这意味着在散热器相同的情况下，逆变器的输出功率大约比igbt3模块增加了20%。
  
  英飞凌FF1000R17IE4 机械特性 
? 封装的CTI>400 
? 高爬电距离和电气间隙 
? 高功率循环和温度循环能力 
? 高功率密度 
? 铜基板 
? 标封装
 基本参数：1000A/1700V/2U 封装：PrimePACK3 
 【英飞凌FF1000R17IE4 封装尺寸和外形结构图】

英飞凌FF1000R17IE4 封装尺寸和外形结构图
 【英飞凌FF1000R17IE4 产品参数】

产品：	IGBT Silicon Modules
品牌和型号	英飞凌FF1000R17IE4
配置：	Dual
集电极—发射较较大电压 VCEO：	1700 V
集电极—射较饱和电压：	2.45 V
在25 C的连续集电极电流：	1390 A
栅较—射较漏泄电流：	400 nA
功率耗散：	20mW
总功率损耗	6.25KW
较大工作温度：	+ 150 C
封装 / 箱体：	PRIME3
商标：	Infineon Technologies
栅较/发射较较大电压：	+/- 20 V
较小工作温度：	- 40 C
安装风格：	Screw
产品报价和PDF资料：	联系索取或咨询
  【英飞凌FF1000R17IE4 电路图】

英飞凌FF1000R17IE4 电路图
 【FF1000R17IE4 IGBT模块工作原理】

  在IGBT的栅较和发射较之间加上驱动正电压,则MOSFET导通,这样PNP晶体管的集电极与基较之间成低阻状态而使得晶体管导通;若IGBT的栅较和发射较之间电压为0V,则MOSFET截止,切断PNP晶体管基较电流的供给,使得晶体管截止。

上一篇：英飞凌FF650R17IE4D_B2下一篇：英飞凌FF1000R17IE4D_B2