供应IXFR30N60P功率MOSFET全新现货 封装ISOPLUS247™

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零件编号：IXFR30N60P
描述：较地™HiPerFETs降低RDS（ON）（500V至1200V）
配置：单
封装形式：ISOPLUS247™




Parameter    IXFR30N60P    
VDSS, max, (V)    600    
ID(cont), TC=25°C, (A)    15    
RDS(on), max, TJ=25°C, (Ohm)    0.25    
Ciss, typ, (pF)    3820    
Qg, typ, (nC)    85    
trr, typ, (ns)        
trr, max, (ns)    200    
PD, (W)    166    
RthJC, max, (°C/W)    0.75    


特点
􀁺硅芯片上直接铜债券
基板
 - 高功率耗散
 - 隔离的安装面
 - 2500V的电气隔离
􀁺低漏标签电容（<30pF的）
应用
􀁺DC- DC转换器
􀁺电池充电器
􀁺开关模式和谐振模式
电源供应器
􀁺直流斩波器
􀁺交流电机控制
优势
􀁺易于装配
􀁺节省空间
􀁺高功率密度 


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