IXFH18N60P功率MOSFET全新现货 封装TO- 247

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零件编号：IXFH18N60P
描述：较地™HiPerFETs降低RDS（ON）（500V至1200V）
配置：单
封装形式：TO- 247




Parameter    IXFH18N60P    
VDSS, max, (V)    600    
ID(cont), TC=25°C, (A)    18    
RDS(on), max, TJ=25°C, (Ohm)    0.4    
Ciss, typ, (pF)    2500    
Qg, typ, (nC)    50    
trr, typ, (ns)        
trr, max, (ns)    200    
PD, (W)    360    
RthJC, max, (°C/W)    0.35    


特点
l国际标准封装
升钳位感应开关（UIS）
额定
l低封装电感
 - 易于驱动器和保护
优势
升易于安装
升空间储蓄
l高功率密度 


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