IXFH20N60功率MOSFET全新现货 封装TO- 247

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零件编号：IXFH20N60
描述：高电压的Q -级HiPerFETs（高达1200V）
配置：单
封装形式：TO- 247




Parameter    IXFH20N60    
VDSS, max, (V)    600    
ID(cont), TC=25°C, (A)    20    
RDS(on), max, TJ=25°C, (Ohm)    0.35    
Ciss, typ, (pF)    4500    
Qg, typ, (nC)    151    
trr, typ, (ns)        
trr, max, (ns)    250    
PD, (W)    298    
RthJC, max, (°C/W)    0.42    


特点
•国际标准包
•低RDS（ON）HDMOSTM过程
•坚固的多晶硅栅单元结构
•非钳位感应开关（UIS）
额定
•低封装电感
 - 易于驱动器和保护
•快速的内在整流器
应用
•DC- DC转换器
•同步整流
•电池充电器
•交换模式和谐振模式
电源供应器
•直流斩波器
•交流电机控制
•温度和照明控制
•低电压继电器
优势
•易于安装1个螺丝（TO- 247）
（孤立的安装螺孔）
•节省空间
•高功率密度 


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